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IBE离子束刻蚀系列机台

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工艺设备

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产品描述

刻蚀范围：金属(Au、Pt、Ag、Co、Ni、Ta等);硅基(Si、SiNx、SiO2等);半导体化合物等

尺寸定制，支持整片以及碎片刻蚀

最大口径φ200mm考夫曼离子源

选配反应刻蚀气路，如：氧气、氮气、氟基气体、氯基气体等

水冷控温

下电极可倾斜0-90°，同时支持旋转功能

软硬件互锁机制

基于Windows操作软件，具备系统监测、工艺编辑、参数显示等功能，具备储存工艺日志和操作记录的能力

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